核心特點：

• 高精度校正

• 自動化工藝

• 無需熱調諧

• 提升節(jié)能效果

核心優(yōu)勢：

• 提高生產良率

• 提升整體吞吐量

• 降低功耗

• 提高元件可持續(xù)性

我們的工藝開發(fā)專長

我們設有專門的應用實驗室，配備不同的移動平臺和計量設備，旨在我們的場地內全面測試并展示目標應用。這些實驗室旨在模擬真實世界條件，使我們能夠評估性能、完善解決方案，并有效展示該應用如何滿足特定需求。

我們與客戶合作，通過集成我們的激光解決方案來優(yōu)化他們的制造工藝。我們的專業(yè)能力確保無縫集成，提高效率，并解決特定的運營挑戰(zhàn)。

光子集成的增長悖論

幾十年來，業(yè)界一直預期光子學將遵循與電子學類似的規(guī)模增長軌跡。然而，盡管光子集成電路（PICs）已在電信、數(shù)據(jù)中心和傳感領域實現(xiàn)了突破，但其發(fā)展卻因其高昂的成本而受到嚴重阻礙。與電子學不同，在電子學領域，摩爾定律持續(xù)推動著小型化和效率的極限，而光子學則面臨著不同但根本性的挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)包括制造偏差、復雜的材料相互作用以及大規(guī)模量產優(yōu)質無源結構（如 M2、M8B、耦合器等）的困難。盡管存在這些挑戰(zhàn)，設計、制造和工藝優(yōu)化方面的進步仍在持續(xù)推動該領域的進展。光子產業(yè)正在開發(fā)新一代收發(fā)器，目標是每 2-3 年速率翻倍，同時努力降低 PIC 的總成本。

晶圓性能偏差：待克服的挑戰(zhàn)

光子制造，尤其是在晶圓和芯片級別，帶來了直接影響良率、效率和上市時間的獨特挑戰(zhàn)：

低良率— 光刻、蝕刻中的納米級尺寸偏差導致顯著的性能差異。因此，在晶圓級測試中，PIC 芯片的良率在業(yè)內通常在 50-90% 范圍內，并且隨著電路復雜度的增加，這一趨勢將持續(xù)。

更復雜的設計 — 隨著設計變得更加復雜，缺陷率上升，整體良率降低。由于工藝可變性增大，制造效率下降，需要更嚴格的控制和先進的制造技術。添加熱移相器可以減少這些偏差，但需要額外的芯片空間，從而增加了有源電控制的成本和復雜性。更大更復雜的結構會延長熱循環(huán)時間，拖慢原型制作和測試速度，進而延遲上市時間。

功耗問題 — 熱移相器作為應對工藝偏差的標準調諧方法，在運行期間為調節(jié)和維持相位消耗過多能量。這種低效性限制了光子系統(tǒng)的可擴展性。

解決方案：光子微調

我們推出了一種創(chuàng)新的激光微調解決方案，專為光子晶圓的精確需求而定制。我們專有的光纖激光技術能夠在波導層級直接實現(xiàn)高精度的永久性修正。該激光解決方案包括激光源、帶在線視覺系統(tǒng)的激光頭以及先進的控制軟件。該解決方案也可改裝接入標準的微米級測試站，F(xiàn)iconTEC 是我們首個設計導入案例。設計中所有元素都針對高精度、穩(wěn)健性、大視場和操作簡便性進行了優(yōu)化，確保與現(xiàn)有制造工藝的無縫集成。此外，這種非侵入性技術最大程度地減少了光學損耗，

同時保持了光子集成電路（PICs）的完整性和性能。

激光微調的作用

激光微調工藝涉及圖形識別、無需電探測的主動對準以及光學測量，以確保電路的最佳性能。

應用領域：

• 平衡馬赫-曾德爾調制器 (MZM) 臂長

• 微調環(huán)形諧振器頻率

• 校正相位誤差

• 均衡多路復用器/解復用器通道

• 補償制造偏差

目標用戶

• 光子集成電路（PIC）設計師

• 光子晶圓廠 / 代工廠

• 集成器件制造商

• 使用 PIC 的模塊和系統(tǒng)公司