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非線性光學晶體

時間:2025-04-08 類別:光學元器件 關注:1047

高倍頻,高損傷閾值,寬透光范圍,現(xiàn)代激光系統(tǒng)的核心引擎

非線性光學晶體是激光技術的核心材料,因其非中心對稱結(jié)構,能通過非線性效應實現(xiàn)激光頻率轉(zhuǎn)換。它將固定波長的激光輸入,輸出不同顏色的激光,廣泛應用于綠色激光器、醫(yī)療設備和科研儀器。關鍵特性包括高非線性系數(shù)、高激光損傷閾值和能實現(xiàn)相位匹配。Raicol 公司制造多種晶體,包括RTP、KTP、LBO、BBO、PPKTP、PPSLT、PPLN、CLBO。其最先進的制造設施提供一站式服務,擁有用于高質(zhì)量生產(chǎn)的自有晶體生長系統(tǒng)、切割與研磨設備、X射線測量系統(tǒng)、潔凈室、光學組裝設備、最先進的測試站以及鍍膜設備(采用IBS技術)

我們一站式供應各種類型的PPSLT晶體,LBO晶體,BBO倍頻晶體,KTP晶體,CLBO晶體,PPKTP晶體,SPPKTP晶體,PPLN晶體,HP-APKTP晶體,RTP晶體,可提供選型、技術指導、安裝培訓、個性定制等全生命周期、全流程服務,歡迎聯(lián)系我們的產(chǎn)品經(jīng)理!

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產(chǎn)品經(jīng)理信息

新特光電代理以色列Raicol公司的非線性光學晶體:PPSLT,LBO,CLBO,BBO,KTP,PPKTP,SppKTP,KTP OPO,HGTR KTP,HP-APKTP,MgO:PPLN,RTP,iRTP,廣泛應用于全固態(tài)激光、電光、醫(yī)學、微加工的倍頻(二倍頻、三倍頻、四倍頻和五倍頻)、和頻、差頻及光學參量振蕩等。我們的晶體產(chǎn)品以杰出的品質(zhì)與穩(wěn)定性著稱,可接受不同尺寸及特殊要求的定制方案。

主要應用

非線性晶體非線性晶體非線性晶體
二倍頻 SHG
   晶體:PPKTP,LBO,BBO,KTP
三倍頻 THG
   晶體:PPKTP,LBO,BBO,PPLST
四倍頻 FHG
   晶體:CLBO,BBO
非線性晶體非線性晶體非線性晶體
和頻 SFG
     晶體:PPKTP,PPSLT,PPLN,LBO,
   CLBO,BBO,KTP
差頻 DFG
   晶體:PPKTP, KTP OPO
光學參量振蕩 OPO
   晶體:PPKTP, KTP OPO
非線性晶體非線性晶體非線性晶體
脈沖選擇器
     晶體和器件:RTP, RTP調(diào)制器,
   iRTP電光Q開關,BBO電光Q開關
Q開關
     器件:RTP元件,iRTP
   電光Q開關,BBO電光Q開關
電光幅度調(diào)制器
     器件:RTP調(diào)制器,RTP元件,
     iRTP電光Q開關,BBO電光Q關,
   LN 電光器件
非線性晶體非線性晶體非線性晶體
電光相位調(diào)制器
   器件:RTP元件,RTP調(diào)制器,BBO電光Q開關
普克爾盒
   器件:RTP調(diào)制器,iRTP電光Q開關, RTP元件,BBO電光Q開關
電光快門
     器件:RTP調(diào)制器,RTP元件,
   iRTP電光Q開關,BBO電光Q開關
非線性晶體非線性晶體非線性晶體
電光效應
   器件:iRTP電光Q開關, RTP元件,BBO電光Q開關
自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換
   晶體:PPKTP, APKTP
壓縮光
   晶體:PPKTP, HP-APKTP
非線性晶體非線性晶體非線性晶體
關聯(lián)光子對光源
   晶體:PPKTP, HP-APKTP
偏振糾纏光子對源
   晶體:PPKTP, HP-APKTP
預報單光子態(tài)
   晶體:PPKTP

非線性光學倍頻晶體

PPSLT晶體—適用于從紫外到中紅外的寬波長范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應用

PPSLT是一種周期極化的非線性扇型晶體,扇型晶體具有高轉(zhuǎn)換效率、可調(diào)諧激光器SHG、可調(diào)諧OPO/OPG、生成瓦級可見光、新波長的可行性試驗等特點,扇型晶體可用于UV、可見光- MIR范圍。扇形PPSLT扇出結(jié)構的轉(zhuǎn)換效率低于單周期器件,具體取決于光束直徑的大小。

PPSLT晶體

產(chǎn)品特點

  • 高功率水平激發(fā)下的高損傷閾值

  • 非常適合緊湊型固體激光器

  • 非線性系數(shù)高

  • 非常適合可見光生成應用

技術數(shù)據(jù)

PPSLT 提供各種創(chuàng)新設備和設計:

  • 扇出

  • 高抗光折射損傷性

  • 非線性系數(shù)(>7.5pm/V)

  • 高功率綠光生成: >10 W

  • 高導熱性

PPSLT 波導: PPSLT內(nèi)部的激光寫入波導

  • 效率提高一個數(shù)量級

  • 瓦級頻率轉(zhuǎn)換

  • 紫外線、可見光 -MIR 范圍

  • 圓形輸出光束

  • 高功率和高轉(zhuǎn)換效率

典型應用

PPSLT DFG(差頻生成)*1:PPSLT 是一種強大的非線性光學材料,適用于從紫外線到中紅外的寬波長范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應用。

PPSLT SFG (和頻生成)*2:PPSLT 是一種強大的非線性光學材料,適用于從紫外線到中紅外的寬波長范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應用。

注:*1 差頻產(chǎn)生(DFG)是產(chǎn)生兩個不同頻率之間的差頻。*2 和頻產(chǎn)生 (SFG) 是一種非線性光學過程,基于頻率 ω1 和 ω2 的兩個輸入光子的湮滅,以及頻率 ω3 的一個光子的同時產(chǎn)生。 (ω3=ω1+ω2)

用于 OPO 的 PPSLT:PPSLT 是一種流行的非線性光學材料,適用于從紫外線到中紅外的寬波長范圍內(nèi)的頻率轉(zhuǎn)換應用。

我們提供以下類型的 PPSLT OPO:

  • 適用于泵浦/信號波長的標準 DBAR 涂層

  • 集成單程和雙程

  • 凸/凹共焦單片結(jié)構

  • 用于 SHG 的 PPSLT

PPSLT(周期性極化化學計量鈮酸鋰)是一種強大的非線性光學材料,適用于需要幾瓦輸出功率的緊湊型固體激光器。二次諧波產(chǎn)生 (SHG) 是一種非線性光學過程,其中泵浦波長產(chǎn)生一個新的波長,該波長是入射波長的一半或頻率的兩倍。

使用波長為 1064nm 的 Nd:YAG 時,SHG 將在 532nm 處呈現(xiàn)綠色。

PPSLT晶體

應用實例

PPSLT晶體

晶體標準規(guī)格

型號厚度(mm)周期性相位匹配條件@約50(SHG波長)
∧a (um)∧b (um)
A0.55.96.5483~497
B6.47.0496~509
C6.97.6508~523
D7.58.2522~536
E8.18.9535~551
F8.89.7550~568
G9.610.6567~585
H10.511.6584~605
I11.512.7604~625
J0.812.613.9624~647
K13.815.2646~670
L15.116.7669~697
M16.618.3696~725
N18.220.1724~757
O20.022.1756~794
P1.022.024.3793~835
Q24.226.7834~886
R26.629.4885~954
S29.332.4953~1055
T32.335.71054~(1255)
U35.639.3

典型規(guī)格

孔徑0.5 mm*2mm
長度最大40 mm
透明度范圍300nm -5,000nm
注意:以上值取決于設備設計和周期

LBO晶體—久而彌堅的激光頻率轉(zhuǎn)換高手

LBO(三硼酸鋰 LiB3O5)是一種具有非常優(yōu)良品質(zhì)的非線性光學晶體,非常適合各種非線性光學應用。LBO晶體兼具寬透明度、中等程度的高非線性耦合、高損傷閾值以及良好的化學和機械性能。廣泛應用于全固態(tài)激光、電光、醫(yī)學、微加工的二倍頻,三倍頻,OPO等研究和應用領域。目前國際上最廣泛的用途是用于將中高功率1064nm激光二倍頻至532nm綠光,或是將1064nm激光三倍頻至355nm紫外激光以及用于OPO系統(tǒng)上。

LBO晶體

LBO晶體特點

  • 可透光波段范圍寬(160nm~2600nm)

  • 中等程度的高非線性系數(shù)

  • 損傷閾值高、光學均勻性好、內(nèi)部包絡少

  • 倍頻轉(zhuǎn)換效率較高(相當于KDP晶體的3倍)

  • I,II類非臨界相位匹配(NCPM)的波段范圍寬

  • 光學均勻性高

  • 接收角度寬,離散角度小

LBO晶體

LBO晶體的特殊優(yōu)勢

  • 超拋光元件,表面質(zhì)量極佳:粗糙度<3? RMS, 劃痕深度2/1

  • 極低的體吸收率:1064nm波長下高達2ppm/cm2

  • 無與倫比的表面吸收率

  • 晶體尺寸高達100x100mm2

  • 最大長度為80mm

  • 高于標準的高損傷閾值

  • 超高光學均勻性

  • 先進的質(zhì)量控制

  • 自動化工作流程確保高重復性

利用ZYGO干涉儀進行粗糙度測量

我們提供的LBO的標準粗糙度為3? RMS,而行業(yè)標準LBO粗糙度為9-10? RMS。

利用ZYGO干涉儀進行LBO晶體粗糙度測量

無與倫比的表面吸收

表面超拋光LBO,最大限度地減少了降低表面吸收率的粗糙度,能承受更高功率,具有更長的使用壽命。

LBO晶體無與倫比的表面吸收

極低的體積吸收

體積吸收會影響晶體的長期老化,這是決定晶體壽命的關鍵因素。

IPHT (355/1070) 的 3 光子吸收測試結(jié)果:

樣例1070nm波長下的吸收系數(shù)(ppm/cm)樣例355nm波長下的吸收系數(shù)-低強度(ppm/cm)
樣品1(14.9 ± 1.5)樣品1(5.5 ± 1.25)
樣品2(15.0 ± 1.5)樣品2(5.0 ± 1)
參考樣品3(106.5 ± 10)參考樣品3(4470 ± 355)
參考樣品4(110.4 ± 10)參考樣品4(4291 ± 355)
  • 樣品1+2是表面超拋光LBO晶體;

  • 樣品3+4是其他供應商提供的參考LBO晶體;

  • IPHT的3光子吸收測試由德國耶拿大學進行。

更高的損傷閾值

SPICA和Lumibird獨立測量的測試結(jié)果:表面超拋光LBO晶體在355nm和532nm波段顯示出了極高的LIDT。

LBO晶體更高的損傷閾值

典型規(guī)格

口徑高達100x100mm2
長度沿x軸高達80mm
平整度高達λ/10@633nm
粗糙度<3? RMS
平行度高達5arc sec.
垂直度高達5arc min.
劃痕2/1 至 0/0,可根據(jù)客戶要求定制
AR鍍膜雙帶R<0.1%
吸收系數(shù)體積(1064nm)2-4ppm/cm
       表面(1064nm)<1-2ppm
       體積(532nm)<8ppm/cm
       表面(532nm)<1-2ppm
波前畸變控制λ/8@633nm
損傷閾值1800MW/cm2  @ 1064 nm
         1200MW/cm2  @ 532 nm
         1000MW/cm2  @ 355 nm
       For 10 ns pulses @ 10 Hz

LBO晶體的主要應用

二倍頻方面:

  • 醫(yī)用與工業(yè)用途的Nd:YAG激光;

  • 科研與軍事用途的高功率Nd:YAG與Nd:YLF激光;

  • 二極管激光泵浦 Nd:YVO4、Nd:YAG、Nd:YLF激光器;

  • 紅寶石, Ti:Sappire與Cr:LiSAF激光。

三倍頻方面:

  • Nd:YAG和Nd:YLF激光器的頻率三倍頻(THG);

  • 光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO);

  • 高功率1340nm的Nd:YAP激光的二,三倍頻。

BBO晶體—多功能紫外倍頻晶體

BBO晶體,全稱"低溫相偏硼酸鋇(β-BaB2O4)",是一種新型的多功能紫外倍頻晶體,是世界上公認的優(yōu)秀的二階非線性光學晶體之一,不僅具有優(yōu)異的非線性光學效應,而且還有突出的電光效應,因而具有極高的應用價值,非常適合用于非線性激光相互作用,可應用于波長190nm~1780nm的SHG、SFD、 OPO和電光調(diào)Q等,由于BBO具有較低的潮解性,我們使用了一種有效的保護鍍膜(P-coating)來防止晶體受潮。

BBO晶體具有較大的相位匹配范圍和從紫外到近紅外光譜的寬廣透明度范圍,其倍頻轉(zhuǎn)換效率比較高,并具有很高的激光損傷閾值。在廣泛的頻率轉(zhuǎn)換過程中起到關鍵作用,在深紫外和超快領域的應用能夠變革性地推動下一代超高精度加工的發(fā)展,是Nd:YAG激光器二倍頻、三倍頻、四倍頻的高效NLO晶體,也是213nm五倍頻的最佳NLO晶體。在213nm (5HG)下,SHG的轉(zhuǎn)換效率超過70%,THG的轉(zhuǎn)換效率超過60%,4HG的轉(zhuǎn)換效率超過50%,輸出功率達到200mw。

BBO多功能紫外倍頻晶體

產(chǎn)品特點

  • 倍頻轉(zhuǎn)換效率高(相當于KDP晶體的6倍)

  • 可實現(xiàn)相位匹配的波段范圍寬

  • 可透過波段范圍寬

  • 損壞閾值高

  • 非線性系數(shù)高

  • 光學均勻性好

  • 溫度接收角寬

BBO電光Q開關

主要的應用場景

  • Nd∶YAG激光器的二倍、三倍、四倍以及五倍頻

  • Ti∶Sapphire和Alexandrite激光的二倍、三倍和四倍頻

  • 光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO)

  • 氬離子、紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻(SHG)

  • 高重復頻率,高功率的電光調(diào)Q激光器中的BBO電光Q開關

  • 全固態(tài)可調(diào)激光、超快脈沖激光、深紫外激光等高精尖激光技術研發(fā)領域

典型規(guī)格

通光口徑高達15x15 mm2
長度高達30 mm
平面度高達λ/10 @633nm
垂直度高達5 arc min.
平行度高達5 arc sec.
劃痕10/5
鍍膜AR/AR, DBAR,雙帶 R < 0.2 %
波前失真< 50ppm cm-1 @1064nm;< 100ppm cm-1 @532nm
波前畸變λ/8 @633nm
激光損傷閾值1 GW/cm2 @1064 nm;500 MW/cm2 @532 nm,10 ns脈沖

我們可以根據(jù)客戶要求定制晶體尺寸和鍍膜。

我們提供以下BBO

BBO晶體

KTP晶體—用于固態(tài)激光器的倍頻

KTP晶體(磷酸鈦氧鉀, KTiOPO4)是一種優(yōu)良的非線性晶體,KTP可用于激光倍頻、和頻、差頻、參量振蕩、光波導器件和電光調(diào)制器,最常用于倍頻Nd:YAG及其他腔內(nèi)與腔外倍頻的摻Nd晶體的激光器,特別是在中低功率密度的激光器中,用于制作Nd紅綠激光器二倍頻(SHG)器件,該晶體對波長1064nm倍頻效率可達80%左右,在900℃下不分解,晶體表面易拋光加工。在逐步取代可見光染料激光和可調(diào)藍寶石激光器。廣泛使用實驗室和醫(yī)學系統(tǒng), 射程探測器,激光雷達,光通信和工業(yè)激光系統(tǒng)。

KTP晶體

主要特點

  • 大的二倍頻非線性光學系數(shù)(約為KDP晶體的3倍)

  • 寬的接收角度和小的走離角

  • 激光損傷閾值高,透過波段寬

  • 高光電轉(zhuǎn)換效率和低的介電常數(shù)

  • 具有良好的物理、化學和機械性能

  • 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,高的熱傳導系數(shù)(為BBN晶體的2倍)

  • 孔徑大,高達50x50mm

  • 相比于BBO和LBO成本較低

  • 通常用作OPO(光參量振蕩器),產(chǎn)生高達3 μm的近紅外光

常見應用

  • 摻釹晶體激光器二倍頻(SHG)獲得綠光/紅光輸出

  • 摻釹晶體等固體激光器混頻(SFM)獲得藍光輸出

  • OPG,OPA和OPO獲得0.6um-4.5um范圍內(nèi)可調(diào)光

  • 電光調(diào)制,光學開關

  • 光波導,制作周期性極化的KTP器件

典型規(guī)格

化學公式KTiOPO4
晶體結(jié)構單疇晶體
波前失真α<50ppm  cm-1@1064nm,α<2000ppm cm-1@532nm
損傷閾值600MW/cm2(帶涂層)@1064nm,10ns脈沖
孔徑高達30 x 30 mm2
長度沿X軸高達40mm
鍍膜雙帶 R <  0.2%
平面度λ/10
平行度5 arc  sec
垂直度5 arc  min
劃痕10/5

注:接受不同尺寸規(guī)格的KTP晶體定制。

HGTR KTP晶體—高抗灰跡效應KTP晶體

所謂Gray Track Effect(灰跡效應)指的是非線性晶體在受到高功率、高重復率激光脈沖或連續(xù)波激光照射時,在晶體內(nèi)部出現(xiàn)灰色的損傷痕跡,灰跡的形成過程是累積性的,會導致倍頻轉(zhuǎn)換性能下降。KTP 晶體中的誘導色心在可見光和近紅外波段(尤其是 532nm波段)具有廣泛的光吸收,因此會產(chǎn)生灰軌。

HGTR KTP晶體,由于在其生長控制過程中采用了特有的助熔劑和熱處理技術等先進的工藝方法,與普通熔鹽法(Flux method)生長的KTP晶體相比,具有高達10倍的抗灰跡能力。 眾所周知,普通熔鹽法KTP晶體,應用于高功率密度激光頻率轉(zhuǎn)換時,因其本身的灰跡和光折變效應,輸出功率會在很短的時間內(nèi)快速下降, 而HGTR KTP晶體則可以長期穩(wěn)定地應用于高功率激光的頻率轉(zhuǎn)換,而且因其良好的溫度穩(wěn)定性和較高的轉(zhuǎn)換效率,具有比LBO晶體更優(yōu)越的性價比。

HGTR KTP晶體適用于300nm~5500nm區(qū)間的激光頻率轉(zhuǎn)換,可在1000~1400nm的SHG中實現(xiàn)更高的平均功率密度。由于具有較高的抗光損傷閾值和非線性光學系數(shù),使其成為下一代固體激光器中最具潛力的倍頻器件,尤其是在可見光波段的應用中,可以產(chǎn)生高達數(shù)瓦的倍頻光輸出,為激光投影系統(tǒng)所需的高性能價格比,高可靠性,高光學質(zhì)量要求的激光光源提供了優(yōu)質(zhì)的解決方案。

HGTR KTP晶體

產(chǎn)品特點

  • 平均輸出功率密度在532nm時高達5kW/cm2

  • 非線性系數(shù)比LBO高4倍

  • 在可見光到近紅外波長段均保持低吸收率

  • 寬溫度帶寬

  • 非潮解材料

  • 小去離角和大接收角

常見應用

  • 用于醫(yī)療、工業(yè)、科學和其他應用的中等功率綠

  • 激光器

典型規(guī)格

口徑高達8mmx8mm
長度高達12mm
平整度入/10
平行度10  arc sec
垂直度10  arc min
劃痕10/5
鍍膜雙帶 R<0.1%
波前失真<50ppm/cm@1064nm;<200ppm/cm@532nm
輸出平均功率密度高達5kW/cm2@ 532nm
損傷閾值600MW/cm2@1064nm/10ns

HGTR KTP晶體的灰跡效應

下圖所表示的是當功率密度為10kW/cm2的532nm綠光射入不同KTP晶體前后,各種晶體對1064nm紅外光吸收增長情況的測試結(jié)果 。

HGTR KTP晶體的灰跡效應

由以上測試曲線所表示的結(jié)果,HGTR KTP晶體本身的紅外吸收,及其在綠光照射下所導致的紅外吸收增長即所謂的灰跡效應,都大大地低于普通溶鹽法和水熱法生長的KTP晶體。HGTR KTP元件的初始紅外吸收率較低,受綠光的影響也較小,HGTR KTP 將比普通通量生長晶體或熱液生長晶體具有更高的灰跡電阻。

綠光誘導紅外吸收測試圖

綠光誘導紅外吸收測試圖

HGTR KTP晶體塊體在532nm輻射下的吸收隨時間變化的動態(tài)。該參數(shù)表示晶體的效能和灰度跟蹤電阻。這表明晶體的壽命--數(shù)值越小,預期壽命越長。

波長1064nm的涂層HGTR KTP的吸收圖

波長1064nm的涂層HGTR KTP的吸收圖

CLBO非線性晶體—5倍頻紫外用非線性晶體

CLBO晶體(CsLiB6O10)是一種非常優(yōu)秀的,能產(chǎn)生多種倍頻波長的非線性晶體材料,具有很好的非線性光學特性,透光范圍175-2750nm,非線系數(shù)deff=0.95pm/V是KDP晶體的2.2倍。非常適合在紫外范圍內(nèi)產(chǎn)生諧波(例如193nm和266nm),透射截止范圍達到180nm。與普通BBO非線性光學材料相比,CLBO晶體具有更大的光譜和溫度帶寬、更好的角度公差和更小的離散角。CLBO是倍頻(SHG)的不錯選擇,倍頻激光性能穩(wěn)定,光束質(zhì)量好,適用于大功率Nd:YAG激光系統(tǒng)的四倍頻(FHG)。由于沒有通常在BBO晶體和KDP晶體中觀察到的雙光子吸收的缺失,CLBO對于高功率產(chǎn)生沒有飽和。主要應用于半導體檢測,顯微光刻技術,生物醫(yī)學,紫外雷達等領域。

CLBO晶體

主要特點

  • 短波可至180nm;

  • 對Nd:YAG激光器的四倍頻、五倍頻轉(zhuǎn)換效率大;

  • 高非線性系數(shù)(約為KDP的兩倍);

  • 接收角度大,離散角??;

  • 可通過相位匹配獲得193nm的真空紫外光輸出;

  • 生長周期短,可生長大尺寸晶體。

典型應用

  • 倍頻產(chǎn)生266nm激光

  • 微納加工

  • 半導體光刻,半導體器件檢測

  • 生物醫(yī)學

  • 深紫外雷達

技術參數(shù)

孔徑最大 15*15 mm2
長度最大 20 mm
平整度λ/8 @633nm
垂直度最小 <10 arc min
排比20 弧秒arc sec
劃痕/挖掘最高 5/1
波前畸變λ/8 @633nm
AR 涂層無涂層
吸收系數(shù)150 ppm/cm @1064nm
激光誘導損傷閾值29 GWcm2 @1064nm*
       6.4GWcm2 @266nm*

典型指標

切割角度:f=45度,q=61.7度;尺寸:5x5x10mm,兩個表面:光學拋光;

CLBO晶體

注:切割角度和尺寸可定制,日本oxide不提供帶AR鍍膜的CLBO晶體。

CLBO晶體性質(zhì)和Sellmeier方程

波長(nm)晶體相位匹配角(deg)有效非線性系數(shù)(pm/V)角度公差(mrad – cm)離散角(deg)
1064+532=355CLBO48.90.710.922.11
BBO34.62.010.244.47
532+532=266CLBO62.00.790.551.84
BBO47.71.750.194.89
1064+266=213CLBO68.30.950.481.66
BBO51.11.950.135.51

注:PMT = 150℃ @CLBO, 27℃ @BBO

CLBO晶體

CLBO晶體存儲和處理

CLBO具有很高的吸濕性。因此,強烈建議嚴格控制操作環(huán)境的濕度,防止CLBO晶體與水反應降解。通過將操作溫度升高至約150攝氏度,可以有效避免該問題。為了適應CLBO晶體的吸濕性,晶體在是真空包裝的。建議CLBO晶體包裝在使用前在干燥器中保持不開封。一旦打開,請將CLBO晶體存儲在單獨的烤箱或類似的環(huán)境中。

CLBO晶體

電光晶體

RTP電光元件——用于電光調(diào)制

RTP晶體(磷酸鈦氧銣,RbTiOPO4)是KTP晶體的同構晶體,具有機械與化學性能穩(wěn)定、非線性光學系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點。主要應用在非線性和電光領域,中小功率激光器是其重要應用市場,例如用來制造高重復頻率調(diào)Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG激光器等;電光調(diào)制是RTP晶體的重要功能,利用此功能可用來制造電光Q開關、幅度和相位調(diào)制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品,近年來,RTP晶體已經(jīng)成為電光Q開關的熱門材料,廣泛應用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測距、科學勘探、國防軍工等領域。

RTP是雙軸晶體,在制造電光器件時,為避免環(huán)境溫度變化對晶體折射率造成影響,通常采用體積大小與性能參數(shù)一致的兩塊晶體光軸彼此垂直配對使用。這樣的雙晶結(jié)構器件可以在-50℃-+70℃環(huán)境中穩(wěn)定工作 (但需保持兩塊晶體的溫場一致)。同時,雙晶串聯(lián)使器件的調(diào)制電壓進一步減半,使其更加適用于軍用激光測照器和醫(yī)療激光器。RTP電光元件采用熱補償雙晶結(jié)構組裝,其中兩塊匹配的晶體置于傳播軸(X 或 Y)上,其中一塊旋轉(zhuǎn) 90 度(下圖)。

RTP電光元件 RTP電光元件

主要優(yōu)勢

  • 低半波調(diào)制電壓需求,使電光元件設計更加緊湊

  • 高介電常數(shù)和電阻率,上升/下降時間和脈寬<1ns,可實現(xiàn)快速操作

  • 接收角度寬,工作溫度范圍廣(-50℃~70℃)

  • 內(nèi)部質(zhì)量均勻,消光比高,插入損耗小,激光損傷閾值高達1GW/cm2@1064nm, 10ns脈沖

  • 極低的壓電振鈴效應,調(diào)制頻率可達1MHz,配套各種高壓驅(qū)動,支持高頻運轉(zhuǎn)。

  • 無潮解,易于處理,無需覆蓋在500~3000nm光譜范圍內(nèi),很適用于做激光的電光調(diào)制

  • 波長為1064nm時吸收損耗極低

  • 極高的均勻性:電光元件標準通光面可達15x15mm2

常見應用

電光Q開關、脈沖選擇器、相位調(diào)制器、振幅調(diào)制器、腔倒空器、電光快門、衰減器 & 濾波器。

RTP晶體產(chǎn)品系列

我們的RTP晶體采用獨特的熔鹽提拉法生長技術和鍍膜技術,是500nm~3000nm光譜范圍內(nèi)電光應用的優(yōu)質(zhì)材料,配套各種高壓驅(qū)動,支持高頻運轉(zhuǎn),出色性能使其成為軍事、醫(yī)療和工業(yè)應用中各種激光系統(tǒng)的可靠元件。我們提供單個RTP元件(用于相位調(diào)制器)、熱補償匹配的一對RTP元件、即插即用電光組件(帶/不帶外殼),并儲備了充足的優(yōu)質(zhì)原晶,可依使用要求訂制各種RTP晶體電光調(diào)制器件。

RTP晶體電光開光采用溫度補償式設計結(jié)構,每個電光開關由兩塊RTP晶體構成。 由于RTP具有高電阻率(約1012Ω·cm)和高抗光損傷閾值等獨特性能,RTP晶體電光開關因此也具備以下優(yōu)異性能:

  • 高抗光損傷閾值

  • 無壓電振蕩效應

  • 低插入損耗

  • 自動溫度補償

  • 不潮解

RTP電光Q開關典型規(guī)格典型尺寸

透過范圍500-3000nm
透過率@1064nm>99%
半波電壓3.6kV(9x9x10mm    Q開關)
消光比高達30dB
有效口徑1.5mm x 1.5mm~15mm x 15mm
晶體長度高達50mm
接收角<4°
標準增透膜R<0.2%
損傷閾值高達1GW/cm2@1064    nm, 10 ns 脈沖或10J/cm2

RTP晶體型號定義規(guī)則

  • 型號:Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W

  • Ty ‐  晶體類別: R (RTP)

  • D ‐ 電光器件: Q  (電光Q),M (雙晶結(jié)構),或S (單晶結(jié)構)

  • O ‐ 晶體切割方向:  X / Y / Z

  • Cr ‐  晶體截面 [mm]

  • L ‐  晶體長度 [mm]

  • E ‐  消光比20/23/25/30 [dB]

  • W ‐ 工作激光波長 [nm]

晶體型號晶體尺寸[mm]半波電壓(kV)晶體型號晶體尺寸半波電壓(kV)
R-Q-Y-020-5-20-10642 x 2 x 51.3R-Q-Y-020-10-20-10642 x 2 x 10.66
R-Q-Y-030-5-20-10643 x 3 x 52.0R-Q-Y-030-10-20-10643 x 3 x 10.99
R-Q-Y-040-5-20-10644 x 4 x 52.6R-Q-Y-040-10-20-10644 x 4 x 101.3
R-Q-Y-050-5-20-10645 x 5 x 53.3R-Q-Y-050-10-20-10645 x 5 x 101.7
R-Q-Y-060-5-20-10646 x 6 x 54.0R-Q-Y-060-10-20-10646 x 6 x 102.0
R-Q-X-020-5-20-10642 x 2 x 51.6R-Q-X-020-10-20-10642 x 2 x 10.79
R-Q-X-030-5-20-10643 x 3 x 51.6R-Q-X-030-10-20-10643 x 3 x 101.2
R-Q-X-040-5-20-10644 x 4 x 51.6R-Q-X-040-10-20-10644 x 4 x 101.6
R-Q-X-050-5-20-10645 x 5 x 51.6R-Q-X-050-10-20-10645 x 5 x 102.0
R-Q-X-060-5-20-10646 x 6 x 51.6R-Q-X-060-10-20-10646 x 6 x 102.4
R-Q-X-070-5-20-10647 x 7 x 51.6R-Q-X-070-10-20-10647 x 7 x 102.8
R-Q-X-080-5-20-10648 x 8 x 51.6R-Q-X-080-10-20-10648 x 8 x 103.2
R-Q-X-090-5-20-10649 x 9 x 51.6R-Q-X-090-10-20-10649 x 9 x 103.6

備注

  • 半波電壓 (HWV) 為標稱 ± 15%,標準消光比為 20dB、23dB、25dB、27dB 和 30dB。

  • 未安裝的配對晶體作為標準組件提供。只需在編號中用M替代Q即可。

  • 標準產(chǎn)品還有其他尺寸和波長可供選擇。請聯(lián)系我們。

RTP晶體與BBO晶體電光開關的性能對比

下圖所表示的是: 在高重復頻率(30kHz)時,  RTP晶體和BBO晶體電光調(diào)Q開關的不同動作。實驗所采用的BBO晶體開關 由一塊2.5x2.5x25mm3晶體構成, RTP晶體開關由兩塊6x6x7mm3晶體構成。從圖中可以看到, 在30 kHz 下, BBO晶體開關已經(jīng)出現(xiàn) 明顯的壓電振蕩現(xiàn)象, 而RTP晶體開關無振蕩現(xiàn)象。

RTP晶體與BBO晶體電光開關的性能對比

RTP與KTP晶體性能對比

性    能KTPRTP
透光波段 (nm)350-4500350-4500
II 類相位匹配,1064nm二倍頻:
相位匹配區(qū)間 (nm)980-10801050-1140
非線性光學系數(shù) (即倍頻系數(shù)) (pm/V)
d3316.917.1
d324.44.1
d312.53.3
deff3.342.45
相位匹配角22o~25o58o
離散角度0.26o0.4o
接收角度20o20o
溫度接收 (℃·cm)2540
其它性能:
非臨界1064nm OPO波長1570/33001600/3200      
電光系數(shù) (pm/V)  
r139.512.5
r2315.717.1
r3336.339.6
介電常數(shù) (εeff)1313
抗光損傷比值 (對KTP晶體)11.8
Z軸電導率    (Ω-1·cm-1)10-6~10-710-11~10-12
壓電系數(shù) (C/cm2·K)7    x 10-94    x 10-9

iRTP普克爾盒——高性能RTP電光調(diào)制器

RTP屬于KTP晶體系列。RTP具有出色的電光特性和高損傷閾值,是高端激光應用的完美解決方案。它非常適合需要高級特性的應用,例如非潮解性、高熱穩(wěn)定性和高重復率。我們新型iRTP普克爾盒是一款將RTP優(yōu)勢帶入電光調(diào)制器市場的產(chǎn)品,專為工業(yè)激光應用而設計。iRTP是一種標準的現(xiàn)成解決方案,以標準工業(yè)普克爾盒的價格提供高性能電光調(diào)制器。

iRTP普克爾盒——高性能RTP電光調(diào)制器 iRTP普克爾盒——高性能RTP電光調(diào)制器

產(chǎn)品特點

  • 更高的損傷閾值,>1GW/cm2

  • <1ns快速上升下降沿,窄脈寬

  • 非潮解材料

  • 低吸收損耗

  • 無振鈴效應(至少到350kHz)

  • 熱穩(wěn)定性好,10~0℃寬范圍穩(wěn)定使用

典型規(guī)格

晶體LiNbO3RTP
       X-cut
RTP
       Y-cut
KRTPKD*PBBO
半波調(diào)制電壓
       @1064nm, L=d(kV)
9887948
介電常數(shù) ε27.9111111488
平均功率密度(W/cm2)150300200800250>1000
損傷閾值(MW/cm2)280>600600600500>1000
孔徑(mm2)>8x82x2~15x152x2~6x62x2~6x65x5~20x201x1~12x12
消光比(dB)>2323~3523~3023~3023~30>30
溫度穩(wěn)定性    *熱電效應<-20℃時
        不穩(wěn)定
-50℃~70℃-50℃~70℃-50℃~70℃不穩(wěn)定優(yōu)秀
振鈴效應10Khz>1MHz>1MHz>1MHz10MHz25MHz
是否潮解存在存在
機械穩(wěn)定性中等良好良好良好良好
孔徑6x6mm,    8x8mm, 10x10mm
電容<6pf
半波電壓3.3KV@1064
透過率>99%
消光比27dB@1064nm
損傷閾值typically,    > 1GW/cm2
調(diào)整軸1軸
外型尺寸柱形:直徑35mm, 長度35mm;立方形:35mmx35mmx35mm
上升時間<1ns
穩(wěn)定溫度10~50℃

量子準相位匹配晶體

SPPKTP晶體—一種專用于高功率應用的非線性晶體

SPPKTP 改善了功率處理能力,降低了光吸收,同時還能保持高質(zhì)量的極化,適用于各種 QPM 和非周期性極化應用。因此,它特別適用于非線性光學(如量子光學和相關領域)中需要高功率的應用。

SPPKTP-1晶體

產(chǎn)品特點

  • 功率處理能力: SPPKTP 支持的功率是標準 PPKTP 晶體的 6 倍。

  • 低吸收:與標準 PPKTP 相比,它在 532nm 波長的吸收率低 50%,GRIIRA 效應低 6 倍。

  • 性能提高: 與標準 KTP 和 PPKTP 晶體相比,吸收率測量和 GRIIRA(綠色誘導紅外吸收)測試結(jié)果顯示其性能明顯更佳。

SppKTP 特性

吸收測量掃描整個晶體寬度和 GRIIRA(綠色誘導紅外吸收)測試(使用公共路徑干涉儀)顯示了以下結(jié)果:

 吸收率 ppm / cm 
類型掃描GRIIRA
1064nm532nm
KTP232200025
SKTP2342005

典型規(guī)格

孔徑典型 1mm*2mm
長度最大 30 mm
平整度λ/6 @633nm
垂直最小 <10 arc min
排比20 arc sec
AP涂層腔外/腔內(nèi)、AR/AR、AR/HR、DBAR
劃痕10/5
透明度350 - 4000 nm

吸收測量

掃描晶體的長度(1064nm和532nm)。

吸收測量:掃描晶體的長度(1064nm和532nm)

GRIIRA 測量

測試測量在 1064nm 波長下的吸收隨時間變化的情況,其中誘導 532nm 波長的情況如下: 從 15KW/cm2 的 1064nm 波長開始測量 60 秒,然后在 15KW/cm2 的 1064nm 波長上增加 8KW/cm2 的 532nm 波長。

吸收測量:掃描晶體的長度(1064nm和532nm)

SppKTP 具有出色的功率處理能力和低光吸收特性,為高功率非線性光學領域的前沿研究和工業(yè)應用提供了新的可能性。

PPKTP—周期極化晶體KTP

周期性結(jié)構中波的傳播是固體物理學中的一個核心概念。理論分析表明,在具有調(diào)制結(jié)構的介電晶體中,與微米量級的調(diào)制周期相應的倒矢量將參與經(jīng)典波的傳播與激發(fā)過程,產(chǎn)生重要的光學和聲學效應。利用非線性極化率的周期躍變和準相位匹配可以實現(xiàn)非線性光學過程的增強。

周期性極化KTP(周期極化磷酸氧鈦鉀,簡稱PPKTP)是一種基于準相位匹配(QPM)的獨特非線性材料。它可以為KTP透明度范圍內(nèi)的所有非線性應用量身定制,而不受常規(guī)KTP相互作用中雙折射匹配的相位匹配限制。其有效非線性系數(shù)是常規(guī)KTP的3倍,在常規(guī)KTP晶體的非線性應用中,晶體必須具有單疇結(jié)構,而PPKTP晶體卻具有人為導致的周期性疇結(jié)構。極化周期間隔的大小取決于具體應用,從幾微米到幾十微米不等。極化方向通常是沿著晶體中具有最大非線性系數(shù)的方向,這點也和常規(guī)KTP晶體不同,后者的軸向是由實現(xiàn)相位匹配的約束條件來確定的。PPKTP具有很高的永久性高損傷閾值,在室溫下運行光折變效應不明顯,非線性系數(shù)高等優(yōu)點,廣泛用于波長的高效轉(zhuǎn)換。PPKTP是極具競爭力的新型短波長光源的核心器件,由于雙折射相位匹配存在玻應廷走離效應,限制了非線性轉(zhuǎn)換效率的提高,準相位匹配不存在這樣的缺點,它可以在整個晶體長度上實現(xiàn)非臨界匹配,因此其相互作用長度不受限制,并且可以獲得在晶體的透過范圍內(nèi)整個光譜的諧波輸出。目前用高壓電場極化技術可以獲得較厚的PPKTP晶體,加上KTP晶體光損傷閾值高、光折變效應低、適合室溫下運行的特點,許多人將它用于參量振蕩的研究。因此大孔徑的PPKTP晶體在OPO中可以獲得高功率、高重復率的寬帶可調(diào)諧變頻輸出。

PPKTP的制造過程,首先是采用微平版印刷技術,在KTP單疇基片表面沉積一個設定結(jié)構的電極板,之后在精確控制的條件下對晶體施加電場,導致晶疇結(jié)構產(chǎn)生所需要的變化。極化后的晶體經(jīng)測試合格后,切割成所需的尺寸,最后進行拋光和鍍膜處理。由此可見,周期極化晶體的制造工藝先進,非常適合于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。我們可提供PPKTP晶體標準器件,例如1064nm和946nm的倍頻(SHG)器件,也可以為客戶設計、訂做其他特殊用途的器件。使用PPKTP晶體時,需要配備溫度控制裝置。

周期極化晶體KTP  周期極化晶體KTP

產(chǎn)品特點

  • 線性系數(shù)最高

  • 無脫落

  • 可用于 OEM 批量生產(chǎn)的大批量產(chǎn)品以及用于研發(fā)的小批量產(chǎn)品

  • 相位匹配范圍廣

  • 0 型或 II 型相互作用用

典型規(guī)格

透明度范圍350-4000nm
長度高達30mm
標準孔徑*1*2
操作溫度接近室溫/根據(jù)要求
鍍膜腔外/腔內(nèi)、AR/AR、AR/HR
損傷閾值波長1064nm時為 600MW/cm2,脈沖時間10ns

* 可根據(jù)要求提供定制孔徑

PPKTP晶體與KTP單疇晶體二倍頻效率對比

測試條件:晶體長度=10.0mm, 激光脈寬=10ns

PPKTP晶體與KTP單疇晶體二倍頻效率對比

主要的應用場景

  • 激光器制造:PPKTP晶體可以作為倍頻材料用于中小功率激光器的制造,特別是Nd:YAG激光器和其他摻釹晶體激光器。這些激光器使用PPKTP晶體進行倍頻,產(chǎn)生重要的綠色光源,已經(jīng)逐步取代了染料激光器和藍寶石激光器。

  • 藍光產(chǎn)生:PPKTP晶體還可與二極管泵浦光、Nd:YAG激光混頻產(chǎn)生藍光,并可調(diào)節(jié)釹離子激光器輸出波長。此外,它可放大泵浦光及用作可調(diào)電光器件等。

  • 光學設備:PPKTP晶體在激光器的倍頻、和頻、差頻、光參量振蕩、光放大等行業(yè)得到廣泛運用。另外,它還可以作為電光晶體,用于電光調(diào)制器、光波導器件、光開關等行業(yè)。

  • 測量儀器:PPKTP晶體也被廣泛運用在測量儀器、監(jiān)測儀器、激光雷達、工業(yè)激光加工設備、醫(yī)療器械、軍工設備、科研等領域中。

  • OPO:光學參量振蕩器(OPO)類似于光源激光器,還使用一種激光諧振器,但基于光學增益從參量放大中的非線性晶體,而不是從受激發(fā)射。

標準產(chǎn)品

我們提供批量生產(chǎn)和客戶定制的PPKTP晶體,我們的PPKTP晶體可用于從可見光到中紅外的SHG倍頻、DFG差頻、SFG合頻、OPO光學參量震蕩,工作波長為350-4000nm,標準光學孔徑為1mm X 2mm。

PPKTP晶體

MgO:PPLN—高效波長轉(zhuǎn)換的周期性極化鈮酸鋰非線性晶體

周期性極化鈮酸鋰 (PPLN) 是許多頻率轉(zhuǎn)換應用的首選高性價比產(chǎn)品,主要用于紅外應用,例如用于量子應用的 SHG、OPO 和 SPDC。PPLN是一種用于高效波長轉(zhuǎn)換的非線性晶體,透光范圍廣,覆蓋了近、中紅外光譜區(qū)域,可實現(xiàn)從可見光到中紅外波段的倍頻(SHG)、和頻(SFG)、光學參量振蕩(OPO)等高效頻率轉(zhuǎn)換??赏ㄟ^周期結(jié)構的設計實現(xiàn)其透光范圍內(nèi)任意波長的輸出,從而滿足現(xiàn)代光學對激光波長多樣化的需求。PPLN 晶體已廣泛應用于激光顯示、環(huán)境檢測、中紅外光譜學、全光波長轉(zhuǎn)換、光學傳感等領域。通過氧化鎂摻雜可大幅度提高晶體的光學損傷閾值及光折變閾值,同時保持高的非線性系數(shù)

PPLN晶體

產(chǎn)品特點

  • 寬廣的透明度范圍: 420 nm - 5200 nm

  • 高非線性系數(shù): PPLN 具有較大的非線性光學系數(shù)(d33~27pm/V),這對高效非線性光學過程至關重要。

  • 設計緊湊: PPLN 器件可設計成緊湊的集成配置,因此適用于以尺寸和便攜性為重要考慮因素的應用。

  • PPLN 具有相對較高的抗光折射損傷能力,可實現(xiàn)高功率運行并提高器件壽命。1064nm 波長下的吸收系數(shù)約為 0.1/cm,1064、10ns 波長下的激光損傷閾值為 100MW/cm2。

應用領域

  • 激光系統(tǒng)的頻率轉(zhuǎn)換

  • 非線性光譜學

  • 光通信

  • 集成光子學

  • 完美適用于緊湊型低功率固態(tài)激光系統(tǒng)

  • 量子光源

典型規(guī)格

孔徑最大1x5 mm2
長度最長40 mm
透明度420-5200nm
平整度高達 λ/10 @633nm
劃痕10/5
垂直度<10 arc min.
平行性20 arc sec.
波前畸變λ/8 @633 nm
AR 涂層AR, DBAR, HR
吸收系數(shù)<0.1/cm@1064nm
損傷閾值100 MW/ cm2, @1064 nm. 10 ns

HP-APKTP—高純度非周期性極化反轉(zhuǎn)KTP晶體

HP-APKTP 晶體是非周期性極化,使我們能夠定制KTP晶體的極化結(jié)構,以形成 SPDC(自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換)過程的結(jié)光譜。

基于該方法,我們提供了高純度的APKTP晶體,與標準PPKTP和PPLN晶體相比,其光譜純度更高,發(fā)射光子對的鑒別力更強,從而提高了糾纏光子源的性能,并具有較高的Hong-Ou-Mandel可見度(HOM效應可見度)。

HP-APKTP晶體 HP-APKTP-2晶體

典型規(guī)格

透明度范圍350nm-4000nm
孔徑典型 1mm*2mm
吸收系數(shù)<20@1064nm
長度最大 30 mm
平整度λ/6 @633nm
垂直最小 <10 arc min
激光誘導損傷閾值1,500 MW/ cm2(帶涂層)@1064 nm,用于 10 ns 脈沖
排比20 弧秒
AR 涂層腔外/腔內(nèi)、AR/AR、AR/HR、DBAR
劃痕/挖掘10/5

產(chǎn)品特點

  • II 型晶體,適合用具有簡并 SPDC 輸出的鈦寶石激光器 (775-795nm) 泵浦

  • 最大化光譜純度:無需外部窄帶濾波器即可在電信波長下實現(xiàn)更高的光譜純度

  • 改進量子特性:減少系統(tǒng)損耗,提高糾纏態(tài)的純度和精度

  • 可定制的聯(lián)合光譜:獨特的非周期性極化來塑造 SPDC 過程的聯(lián)合光譜

  • 性能提升:與標準 PPKTP 和 PPLN 晶體相比,從獨立來源獲得更高的 Hong-Ou-Mandel 可見度

  • 改善空間特性:可以提高耦合到單模光纖中的單光子的保持效率

典型應用

1.自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換(SPDC)

自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換(SPDC)是一種利用非線性光學晶體產(chǎn)生量子相關光子對的過程。當具有較高能量和波矢的單個光子(泵浦光)入射到非線性光學晶體時,晶體內(nèi)部會發(fā)生非線性過程,即泵浦光分裂成兩個具有較低能量和波矢的光子(信號光子和閑置光子),并自發(fā)發(fā)生下轉(zhuǎn)換。在這個過程中,能量和動量都守恒。在周期性(和非周期性)極化非線性晶體(PPKTP 和 APPKTP)中,可以通過控制非線性晶體的極化周期來控制產(chǎn)生的光子的特性。SPDC 過程能夠產(chǎn)生高純度的 Herald 單光子、相關光子和糾纏光子。這些光子對于各種應用都很重要,包括量子密碼學、壓縮光產(chǎn)生、量子計算、量子超分辨率檢測和量子成像。

自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換(SPDC)

2.量子糾纏光子對

量子糾纏光子對是相關光子對的一個特例,它們以量子態(tài)不可分離的方式疊加。它們在空間上是分離的,但在非局部上是相連的。下圖顯示了如何生成一對糾纏的量子比特。這個量子態(tài)是兩個狀態(tài)的量子疊加。通過測量空間模式"a"中光子的水平H極化,我們發(fā)現(xiàn)第二個光子狀態(tài)是空間模式"b"中的垂直V極化。兩個光子并不分離,在雙粒子糾纏態(tài)中測量一個光子的狀態(tài)可以立即確定第二個光子的狀態(tài)。高效的糾纏源可用于許多重要的應用,包括量子密鑰解密(QKD)、量子計算和量子計算機。

利用SPDC過程產(chǎn)生光子偏振糾纏(貝爾量子態(tài))的示例

3.擠壓光

SPDC(自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換)將泵浦光轉(zhuǎn)換為一對相關光子:信號光和閑置光。這些相關性以多種不同的形式表現(xiàn)出來,其中一種就是壓縮光。在壓縮光中,電場的一個正交函數(shù)的量子不確定性減?。▔嚎s),同時另一個正交函數(shù)的不確定性增加(反壓縮或拉伸)。

擠壓光

4.量子關聯(lián)光子(光子對)

量子關聯(lián)光子(光子對)是量子光源的核心組成部分,在各種量子應用中發(fā)揮著重要作用。根據(jù)物理守恒定律,SPDC 過程中產(chǎn)生的光子在動量、能量和到達時間等許多物理方面自然相關。光子同時到達的時間可以通過巧合檢測來測量。SPDC過程中產(chǎn)生的光子對在動量和頻率上具有相關性,不同頻率的光子對可以用于量子傳感,而無需直接探測低頻光子。

量子關聯(lián)光子(光子對)

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